EP3C40F780C6N vs EP3C120F780C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3C40F780C6N द्वारा Intel और EP3C120F780C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3C40F780C6N | EP3C120F780C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | NRND | सक्रिय |
| Family | Cyclone III | Cyclone III |
| Logic Elements | 39,600 | — |
| Embedded Memory Bits | 1,161,216 | — |
| Embedded Memory (Kbytes) | 113 | — |
| M9K Memory Blocks | 126 | — |
| Logic Array Blocks (LABs) | 4,065 | — |
| Maximum User I/O Pins | 535 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| Process Technology | 60 nm CMOS | 65 nm low-k |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Speed Grade | 6 (commercial) | C7 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial) | 0C to +85C (commercial) |
| पैकेज | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 780-pin FBGA (F780) |
| Package Dimensions | 29 x 29 mm | — |
| Ball Pitch | 1.0 mm | — |
| Package Height | 2.6 mm | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (FBGA) | Surface Mount (BGA) |
| Lead Free | Yes | — |
| Configuration Method | SRAM, JTAG via USB-Blaster | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Series | — | EP3C120 |
| Logic Elements (LE) | — | 119,088 |
| Total Memory Bits | — | 3,981,312 |
| Embedded Memory Blocks (M9K) | — | 432 |
| 18x18 Hardware Multipliers | — | 531 |
| Global Clock Networks | — | 20 |
| Maximum User I/O | — | 429 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (suffix N) |
| Configuration Modes | — | AS, AP, FPP, PS, JTAG |