EP3SE50F780C4N vs EP3SE50F780C2N तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE50F780C4N द्वारा Intel और EP3SE50F780C2N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

विशेषता तुलना

पैरामीटर EP3SE50F780C4N EP3SE50F780C2N
ब्रांड Intel Intel
श्रेणी FPGA & CPLD FPGA & CPLD
लाइफसाइकिल स्थिति NRND NRND
Family Stratix III E Stratix III Enhanced (E)
Logic Elements (LE) 47,500 —
Embedded Memory Bits 5,760,000 —
Embedded Memory (M9K/M144K blocks) 488 (per family datasheet) —
Number of LABs 1900 —
Maximum User I/Os 488 —
DSP Blocks (18x18 multipliers) 432 —
PLLs 12 (per family datasheet) —
Maximum Operating Frequency 717 MHz —
Transceiver Channels Up to 12 (per family, model-dependent) 12 (data rate not in source data)
Transceiver Data Rate Up to 6.375 Gbps (per Stratix III E family) —
Process Node 40 nm —
पैकेज 780-Ball FBGA, 29 mm x 29 mm, 1.0 mm pitch 780-ball FC-FBGA (FBGA-780)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount (BGA) Surface Mount (BGA)
सप्लाई वोल्टेज Core 0.9 V, I/O 1.2 V-3.3 V (multi-rail) —
ऑपरेटिंग तापमान 0C to +85C (C4 commercial grade) —
Configuration Modes JTAG, Passive Serial, Fast Passive Parallel —
RoHS स्थिति Lead-free / RoHS compliant —
MSL स्तर 3 (per JEDEC J-STD-020, FBGA package) —
Hard Memory Controller DDR2/DDR3 SDRAM (per Stratix III E family) —
Logic Elements — 47,500
Adaptive Logic Modules (ALMs) — 19,000
Embedded Memory — 5,760,000 bits
DSP Blocks — Yes (number not in source data)
User I/O Count — 488
Process Technology — 65 nm CMOS
Core Voltage — 0.9 V to 1.1 V
Maximum Internal Clock Frequency — 600 MHz
Speed Grade — C2
Temperature Grade — Commercial (C2)
Lead Free — Yes
Configuration Mode — Passive Serial / Fast Passive Parallel

डेटाशीट और संसाधन

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