EP3SE80F1152C3 vs EP3SE80F1152I4N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE80F1152C3 द्वारा Intel और EP3SE80F1152I4N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE80F1152C3 | EP3SE80F1152I4N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Obsolete | अंतिम बार खरीदें |
| Device Family | Stratix III E | — |
| Logic Elements | 80,000 | 80,000 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 3,200 | — |
| User I/Os | 744 | — |
| Embedded Memory | 6,843,392 bits | — |
| Internal Frequency | 800 MHz | — |
| Maximum DSP Block Frequency | 717 MHz | — |
| Process Technology | 65 nm CMOS | 65 nm CMOS |
| Core Supply Voltage | 1.1 V | — |
| Speed Grade | C3 | I4 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 to 85 C (Commercial) | — |
| पैकेज | FBGA-1152, 35x35 mm | 1152-BBGA, FCBGA (flip-chip) |
| Transceivers | 12 full-duplex channels (family-dependent) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount (BGA) |
| RoHS स्थिति | Compliant (per distributor listing) | Compliant |
| Design Software | Quartus II | — |
| Series | — | Stratix III E |
| Embedded Memory Bits | — | 6,843,392 bits |
| User I/O Count | — | 744 |
| Core Voltage | — | 1.1 V |
| Maximum Internal Frequency | — | 450 MHz |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial (-40C to +100C junction) |
| मेमोरी प्रकार | — | SRAM-based configuration |
| Configuration Method | — | JTAG / Passive Serial / Fast Passive Parallel (IEEE 1149.1 BST) |
| I/O Standards Supported | — | LVDS, LVCMOS, SSTL, HSTL, PCI, PCI-X |
| MSL स्तर | — | 3 (per JEDEC J-STD-020) |