EP4CE15F1717N vs EP4CE10F17C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE15F1717N द्वारा Intel और EP4CE10F17C8N द्वारा Altera. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE15F1717N | EP4CE10F17C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Altera |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | — |
| Embedded Memory | 516,096 bits (56 M9K blocks) | 423936 bits (414 Kbit) |
| Embedded 18x18 Multipliers | 56 | — |
| Maximum User I/Os | 165 | 179 |
| PLLs | 4 | 4 |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Process Technology | 60 nm low-power | 60 nm low-power SRAM |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V | 1.15 V to 1.25 V |
| I/O Voltage (VCCIO) | 1.2 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.0 V / 3.3 V | 1.2 V to 3.3 V |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial "N" suffix) | 0C to +85C (Commercial) |
| पैकेज | 256-ball F-BGA (FBGA-256) | 256-FBGA (F17), 17x17 mm |
| Package Pitch | 1.0 mm | — |
| LVDS Performance | Up to 343 Mbps | — |
| Speed Grade | 7 | — |
| Configuration Mode | External serial/parallel flash (volatile SRAM) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| Family | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements (LEs) | — | 10320 |
| Embedded Multipliers (18x18) | — | 23 |
| Maximum Internal Frequency | — | 402 MHz |
| Configuration Method | — | SRAM, requires external EPCS/EPCQ flash |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |