EP4CE15F23C8 vs EP4CE15F23C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE15F23C8 द्वारा Intel और EP4CE15F23C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE15F23C8 | EP4CE15F23C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV E | — |
| Device | EP4CE15 | — |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 516,096 | — |
| M9K Memory Blocks | 112 | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 112 | 343 |
| User I/O Pins (max) | 343 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 8 | — |
| पैकेज | 484-FBGA (F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) | 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0 C to +85 C (commercial, C8 speed grade) | 0C to 85C (Commercial) |
| Speed Grade | 8 (C8 = commercial, -8 speed) | C8 (commercial, 8 ns internal timing) |
| Configuration Modes | JTAG, AS, PS, FPP | AS / PS / JTAG / FPP |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 60 nm low-power | 60 nm low-leakage CMOS |
| LVDS Data Rate (max) | 840 Mbps | — |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements | — | 15,408 |
| Embedded Memory Bits | — | 516,096 bits (63 KBytes) |
| General-purpose PLLs | — | 4 |
| Maximum User I/O Pins | — | 343 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.0 V to 1.2 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount (BGA) |
| MSL स्तर | — | MSL3 (per JEDEC J-STD-020) |
| Hard IP Blocks | — | PCIe Gen1 root port, external memory interface |
| Embedded Memory Type | — | M9K (9 Kbit each) |