EP4CE15F23C8 vs EP4CE15F23C8N Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de EP4CE15F23C8 par Intel et EP4CE15F23C8N par Intel. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | EP4CE15F23C8 | EP4CE15F23C8N |
|---|---|---|
| Marque | Intel | Intel |
| Catégorie | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Family | Cyclone IV E | — |
| Device | EP4CE15 | — |
| Logic Elements (LE) | 15,408 | — |
| Embedded Memory (bits) | 516,096 | — |
| M9K Memory Blocks | 112 | — |
| Embedded Multipliers (18x18) | 112 | 343 |
| User I/O Pins (max) | 343 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 8 | — |
| Boîtier | 484-FBGA (F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) | 484-BGA (FineLine BGA, F23, 23x23 mm, 1.0 mm pitch) |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Température de fonctionnement | 0 C to +85 C (commercial, C8 speed grade) | 0C to 85C (Commercial) |
| Speed Grade | 8 (C8 = commercial, -8 speed) | C8 (commercial, 8 ns internal timing) |
| Configuration Modes | JTAG, AS, PS, FPP | AS / PS / JTAG / FPP |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Process Technology | 60 nm low-power | 60 nm low-leakage CMOS |
| LVDS Data Rate (max) | 840 Mbps | — |
| Series | — | Cyclone IV E |
| Logic Elements | — | 15,408 |
| Embedded Memory Bits | — | 516,096 bits (63 KBytes) |
| General-purpose PLLs | — | 4 |
| Maximum User I/O Pins | — | 343 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.0 V to 1.2 V |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V |
| Type de montage | — | Surface Mount (BGA) |
| Niveau MSL | — | MSL3 (per JEDEC J-STD-020) |
| Hard IP Blocks | — | PCIe Gen1 root port, external memory interface |
| Embedded Memory Type | — | M9K (9 Kbit each) |