EP4CE55F29C8L vs EP4CE115F29C8N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE55F29C8L द्वारा Intel और EP4CE115F29C8N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE55F29C8L | EP4CE115F29C8N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV E | Cyclone IV E |
| Logic Elements | 55,856 | 114,480 |
| Embedded Memory Bits | 2,396,160 bits | — |
| Embedded Memory (M9K Blocks) | 260 blocks | — |
| Embedded 18x18 Multipliers | 156 | 66 |
| Maximum User I/O Pins | 374 | — |
| PLLs | 4 | — |
| Global Clock Networks | 20 | — |
| Core Voltage | 1.2 V | — |
| Process Technology | 60 nm (low-power) | — |
| पैकेज | 780-ball FBGA (F29), 29x29 mm, 1.0 mm pitch | 780-ball FBGA (FineLine BGA) |
| Speed Grade | C8 (commercial, 8 speed bin) | C8 |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +85C (commercial, 'L' suffix) | 0 °C to 85 °C (Commercial) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Configuration Schemes | AS, PS, JTAG, FPP | — |
| JTAG (IEEE 1149.1) | Supported | — |
| Configuration Memory | SRAM-based (external flash required) | — |
| Total Memory Bits | — | 3,981,312 (3888 Kb) |
| General-Purpose PLLs | — | 4 |
| User I/O Pins | — | 528 |
| I/O Banks | — | 8 |
| Process Node | — | 60 nm |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.15 V to 1.25 V |
| Configuration Method | — | JTAG, Passive/Active Serial, Fast Passive/Active Parallel |
| Radiation Hardened | — | No |
| Tray Quantity | — | 36 units |