EP4CE75F29I7 vs EP4CE75F23I7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CE75F29I7 द्वारा Intel और EP4CE75F23I7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CE75F29I7 | EP4CE75F23I7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Series | Cyclone IV E | — |
| Manufacturer | Intel (formerly Altera) | — |
| Logic Elements (LEs) | 75,408 | 75,408 |
| Embedded Memory (bits) | 2,810,880 | — |
| Embedded Memory Blocks | 274 (M9K) | — |
| Embedded 18×18 Multipliers | 200 | — |
| PLLs | 4 | 4 |
| User I/O Count | 426 | — |
| पैकेज | 780-ball FBGA (FineLine BGA) | 484-ball FBGA (F23, 23 mm body, 1.0 mm pitch) |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40 °C to +100 °C (Industrial) | — |
| Process Node | 60 nm low-power CMOS | — |
| Core Voltage (VCCINT) | 1.0 V / 1.2 V selectable | 1.2 V nominal |
| Configuration Modes | JTAG, Active Serial (AS), Passive Serial (PS) | Active Serial (AS), Passive Serial (PS), JTAG |
| I/O Standards Supported | LVDS, LVTTL, LVCMOS, SSTL, HSTL | — |
| External Memory Interfaces | DDR/DDR2 SDRAM, QDRII SRAM | DDR / DDR2 SDRAM, QDRII SRAM |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount (BGA) | — |
| Product Line | — | Cyclone IV E |
| Family | — | Cyclone IV E (EP4CE) |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 4,713 |
| Embedded Memory Bits | — | 2,810,880 bits (312 M9K blocks) |
| Distributed RAM Bits | — | 200 Kbits |
| Embedded 18x18 Multipliers | — | 15 |
| Global Clocks | — | [DATA_NEEDED: global clock network count] |
| Maximum User I/Os | — | 292 |
| I/O Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V / 1.5 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V (per bank) |
| Process Technology | — | 60 nm low-power CMOS |
| Operating Temperature Grade | — | Industrial (I7: -40C to +100C Tj) |
| Design Software | — | Quartus II / Quartus Prime |