EP4CGX110DF31C8N vs EP4CGX110DF31C7N तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP4CGX110DF31C8N द्वारा Intel और EP4CGX110DF31C7N द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP4CGX110DF31C8N | EP4CGX110DF31C7N |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Family | Cyclone IV GX | Cyclone IV GX |
| Logic Elements | 109,424 | 109,424 |
| Logic Array Blocks (LABs) | 6,839 | — |
| Embedded Memory Bits | 5,621,760 (approximately 702 Kbits) | — |
| Embedded Memory Blocks | M9K blocks, 9-bit parity | — |
| DSP Blocks (18x18 Multipliers) | 264 multipliers | — |
| Maximum User I/Os | 475 | — |
| I/O Banks | 8 | — |
| PLLs | 4 general-purpose PLLs | 4 general-purpose |
| Transceivers | 8 high-speed transceivers up to 3.125 Gbps | 8 channels, up to 3.125 Gbps |
| PCI Express Hard IP | PCIe Gen1/Gen2 x1/x2/x4 | — |
| Core Supply Voltage | 1.2 V | — |
| Process Technology | 60 nm low-power CMOS | 60 nm |
| पैकेज | 896-ball FineLine BGA (F31), 31 mm | 896-ball FBGA (F31) |
| Operating Temperature (Commercial) | 0C to 85C | 0 °C to 85 °C (TJ) |
| Speed Grade | 8 | C7 (commercial) |
| Configuration | SRAM-based, supports AS, PS, JTAG, FPP | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Embedded Memory (bits) | — | 5,621,760 |
| Maximum User I/O | — | 475 |
| Core Voltage (VCCINT) | — | 1.2 V nominal (1.16 V to 1.24 V) |
| PLL Analog Voltage (VCCA) | — | 2.5 V nominal (2.375 V to 2.625 V) |
| I/O Bank Voltage (VCCIO) | — | 1.2 V to 3.3 V (bank-dependent) |
| Hard IP Block | — | PCIe Gen1 x1/x2/x4 |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |