H5AN4G8NBJR-VKC vs H5AN4G8NBJR-UHC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN4G8NBJR-VKC द्वारा SK hynix और H5AN4G8NBJR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN4G8NBJR-VKC | H5AN4G8NBJR-UHC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| मेमोरी आकार | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x8 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps (DDR4-2666) | 2400 Mbps (PC2400) |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-78 (7.5 x 11 mm) | TFBGA-78 (11 x 7.5 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | CMOS DRAM | CMOS DRAM |
| Volatile / Non-Volatile | Volatile | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS latency for 2666 grade] | [DATA_NEEDED: CAS latency for -UHC speed bin] |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate] | [DATA_NEEDED: refresh rate 1x/2x/4x support] |
| RoHS स्थिति | Compliant (Lead-Free & Halogen-Free per datasheet) | Compliant (Rohs Code: Yes) |
| Packaging | Tray | — |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 8 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| इंटरफ़ेस | — | DDR4 (JEDEC) |
| Lifecycle Code | — | Active |
| REACH Compliance | — | Compliant |
| Manufacturer | — | SK Hynix Inc. |