H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G4NAFR-PBC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NCJR-PBC द्वारा SK hynix और H5AN8G4NAFR-PBC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NCJR-PBC | H5AN8G4NAFR-PBC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | DRAM |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 8Gb x16 (512M x 16) | — |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| डेटा दर | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] | — |
| Family Data Rate Range | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| पैकेज | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel, synchronous to both clock edges | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) | Yes (RoHS Compliant per datasheet) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| संगठन | — | 2Gb x 4 |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V +/- 0.06 V |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | — | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) |
| Speed Bins (per datasheet) | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) |
| Bank Groups | — | 4 (BG0-BG1) |
| Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Row Address | — | A0-A16 (17 bits) |
| Technology | — | CMOS |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] |
| Geardown Mode Note | — | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled |