H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G4NAFR-PBC مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار H5AN8G6NCJR-PBC توسط SK hynix و H5AN8G4NAFR-PBC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | H5AN8G6NCJR-PBC | H5AN8G4NAFR-PBC |
|---|---|---|
| برند | SK hynix | SK hynix |
| دسته‌بندی | Memory ICs | DRAM |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع حافظه | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 8Gb x16 (512M x 16) | — |
| اندازه حافظه | 8 Gbit | — |
| نرخ داده | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] | — |
| Family Data Rate Range | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| بسته‌بندی | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| دمای کاری | 0C to +95C | — |
| رابط | Parallel, synchronous to both clock edges | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) | Yes (RoHS Compliant per datasheet) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| سازمان | — | 2Gb x 4 |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V +/- 0.06 V |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | — | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) |
| Speed Bins (per datasheet) | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) |
| Bank Groups | — | 4 (BG0-BG1) |
| Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Row Address | — | A0-A16 (17 bits) |
| Technology | — | CMOS |
| محدوده دمای کاری | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| تأخیر CAS | — | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] |
| Geardown Mode Note | — | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled |