H5AN8G6NCJR-PBC vs H5AN8G4NAFR-PBC 비교
다음의 상세 나란히 비교: H5AN8G6NCJR-PBC 제조: SK hynix 및 H5AN8G4NAFR-PBC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | H5AN8G6NCJR-PBC | H5AN8G4NAFR-PBC |
|---|---|---|
| 브랜드 | SK hynix | SK hynix |
| 카테고리 | Memory ICs | DRAM |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.30 | $3.55 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Organization | 8Gb x16 (512M x 16) | — |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | — |
| 데이터 속도 | [DATA_NEEDED: exact speed grade of -PBC suffix] | — |
| Family Data Rate Range | Up to 2666 Mbps (family: H5AN8G6NCJR-xxC) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| 패키지 | FBGA-96 (96-ball fine-pitch BGA) | 78-ball FBGA |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | — |
| 인터페이스 | Parallel, synchronous to both clock edges | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (family datasheet: Lead-Free & Halogen-Free, RoHS compliant) | Yes (RoHS Compliant per datasheet) |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8 Gb |
| 메모리 구성 | — | 2Gb x 4 |
| Interface Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V +/- 0.06 V |
| Wordline Pump Voltage (VPP) | — | 2.5 V (+0.25/-0.125 V) |
| Speed Bins (per datasheet) | — | DDR4-1600 / 1866 / 2133 / 2400 (DLL ON) |
| Bank Groups | — | 4 (BG0-BG1) |
| Banks | — | 16 (4 bank groups x 4 banks) |
| Row Address | — | A0-A16 (17 bits) |
| Technology | — | CMOS |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CL for PBC speed bin] |
| Geardown Mode Note | — | DDR4-1600/1866/2133/2400 bins valid only when Geardown Mode is disabled |