H5AN8G6NCJR-VKC vs H5AN8G6NAFR-UHC तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NCJR-VKC द्वारा SK hynix और H5AN8G6NAFR-UHC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NCJR-VKC | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | DRAM | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| मेमोरी आकार | 8 Gbit | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| डेटा दर | 2666 Mbps (MT/s) | 2400 MT/s |
| Clock Frequency | 1.333 GHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.14 V to 1.26 V | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0C to +95C | 0C to +85C |
| पैकेज | FBGA-96 | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | 28 mA | — |
| Operating Current | 45 mA | — |
| विशेषताएँ | Auto self-refresh, auto precharge, asynchronous reset, data mask, write leveling, CRC, dynamic ODT, ZQ calibration | — |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per datasheet description) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| लाइफसाइकिल स्थिति | Active | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| संगठन | — | 512M x 16 |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.2 V |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Data Mask | — | DM function supported |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |