H5AN8G6NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G6NCJR-xxC द्वारा SK hynix और K4B4G1646D-BYK00 द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5AN8G6NCJR-xxC | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | Samsung Electronics |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR4 SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 8 Gb | 4 Gb |
| संगठन | 512M x 16 | 256M x 16 |
| डेटा दर | 2666 Mbps (VKC speed grade) | 1600 Mbps |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| VPP Supply | 2.5 V | — |
| Operating Temperature (TC) | 0°C to 95°C | — |
| पैकेज | 96-ball FBGA | 96-ball TFBGA |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| On-Die Termination (ODT) | Supported | — |
| Self-Refresh | Temperature-compensated (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | 0°C to 85°C |
| CAS लेटेंसी | — | Programmable |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |