H5AN8G6NCJR-XXC vs K4B4G1646D-BYK00 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NCJR-xxC بذریعہ SK hynix اور K4B4G1646D-BYK00 بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

SK hynix
H5AN8G6NCJR-xxC H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps | SK Hynix

H5AN8G6NCJR-xxC ✓ فعال
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646D-BYK00 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر H5AN8G6NCJR-xxC K4B4G1646D-BYK00
برانڈ SK hynix Samsung Electronics
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR4 SDRAM DDR3L SDRAM
Density 8 Gb 4 Gb
تنظیم 512M x 16 256M x 16
ڈیٹا ریٹ 2666 Mbps (VKC speed grade) 1600 Mbps
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
VPP Supply 2.5 V —
Operating Temperature (TC) 0°C to 95°C —
پیکیج 96-ball FBGA 96-ball TFBGA
Number of Banks 8 —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
On-Die Termination (ODT) Supported —
Self-Refresh Temperature-compensated (TCSR) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
سپلائی وولٹیج — 1.35 V (also operates at 1.5 V)
Number of Terminals — 96
آپریٹنگ درجہ حرارت — 0°C to 85°C
CAS لیٹنسی — Programmable
Additional Features — Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination
ہیلوجن فری — Yes
Package Shape — RECTANGULAR
Temperature Grade — OTHER

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں