H5AN8G8NAFR-UHC vs H5AN8G8NAFR-RDC तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5AN8G8NAFR-UHC द्वारा SK hynix और H5AN8G8NAFR-RDC द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

SK hynix
H5AN8G8NAFR-UHC H5AN8G8NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps | SK Hynix

H5AN8G8NAFR-UHC ✓ सक्रिय
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर H5AN8G8NAFR-UHC H5AN8G8NAFR-RDC
ब्रांड SK hynix SK hynix
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit 8 Gbit
संगठन 1G x 8 1G x 8 (x8)
डेटा दर 2400 Mbps/pin (PC2400) 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Supply Voltage (VDD) 1.2 V (DDR4 standard) —
इंटरफ़ेस CMOS, synchronous DDR4 (Double Data Rate 4)
पैकेज FBGA-78 (PBGA78) 78-ball FBGA
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Family H5AN8G4NAFR-xxC / H5AN8G8NAFR-xxC / H5AN8G6NAFR-xxC —
Speed Grade Suffix UHC —
RoHS स्थिति Compliant (Lead-Free & Halogen-Free) Compliant
Application Class Main memory (high density, high bandwidth) —
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
CAS Latency (CL) [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Refresh [DATA_NEEDED: Refresh specification] —
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
CAS लेटेंसी — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Lead-Free — Yes
हैलोजन फ्री — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

डेटाशीट और संसाधन

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