H5TC4G63CFR-H9J vs H5TC4G63CFR-XXI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63CFR-H9J द्वारा SK hynix और H5TC4G63CFR-xxI द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63CFR-H9J | H5TC4G63CFR-xxI |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 512M x 8 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V +0.100/-0.067V | — |
| Speed Grade | -H9 (1866 Mbps / PC3-14900) | — |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | 78-ball FBGA |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Temperature Grade | Industrial | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| हैलोजन फ्री | Yes | Yes |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Clock Input | Fully differential (CK, CK) | — |
| Data Strobe | Differential (DQS, DQS) | — |
| On-Chip DLL | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | — |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35V +0.100 / -0.067V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35V +0.100 / -0.067V |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| RoHS | — | Compliant |
| डेटा दर | — | [DATA_NEEDED: speed grade] |
| CAS लेटेंसी | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Burst Length | — | 8 (with burst chop) |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh, TCSR |