IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC100N04S6L014ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC64N08S5L075ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUC64N08S5L075ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC64N08S5L075ATMA1 - 80V 7.5mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUC64N08S5L075ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC / OptiMOS 6 40V —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G typical] —
Power Dissipation (P_D, Tc) 100 W —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55C to +175C —
पैकेज PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS™ 5
RoHS स्थिति Compliant —
MSL स्तर 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix) —
Part Number — IAUC64N08S5L075ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A (TJ-limited)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 7.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 75 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant
पिन की संख्या — 8

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