IAUC100N04S6L014ATMA1 vs IAUC64N08S5L075ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC100N04S6L014ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC64N08S5L075ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

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IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 - 40V 100A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IAUC100N04S6L014ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC100N04S6L014ATMA1 IAUC64N08S5L075ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.72 $0.58
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Family IAUC / OptiMOS 6 40V —
트랜지스터 유형 N-Channel MOSFET N-Channel MOSFET
Mode Enhancement —
Drain-Source Voltage (V_DS) 40 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 100 A —
Pulsed Drain Current (I_DM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
R_DS(on) max (V_GS=10V) 1.4 mOhm —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical] —
Total Gate Charge (Q_G) [DATA_NEEDED: Q_G typical] —
Power Dissipation (P_D, Tc) 100 W —
동작 온도 범위 -55C to +175C —
패키지 PG-TDSON-8 (SuperSO8, 5x6 mm) PG-TDSON-8-33 (5x6 mm)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
AEC-Q101 Qualification Yes —
Technology OptiMOS 6 OptiMOS™ 5
RoHS 상태 Compliant —
MSL 레벨 1 MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Packaging Tape & Reel (ATMA1 suffix) —
Part Number — IAUC64N08S5L075ATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) — 80 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 64 A (TJ-limited)
On-Resistance (RDS(on)) max at VGS=10V — 7.5 mΩ
Gate-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: gate-source voltage absolute maximum]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (PD) at TC=25°C — 75 W
동작 접합 온도 — -55 °C to +175 °C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant
핀 수 — 8

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