IAUC100N10S5N040ATMA1 vs IAUT300N08S5N012ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC100N10S5N040ATMA1 द्वारा Infineon और IAUT300N08S5N012ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 - 100V 4mΩ 100A OptiMOS-5 N-MOSFET | Infineon
IAUC100N10S5N040ATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 - 80V 300A 1.2mΩ N-Ch MOSFET | Infineon
IAUT300N08S5N012ATMA2 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC100N10S5N040ATMA1 | IAUT300N08S5N012ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel, Enhancement Mode | — |
| Technology | OptiMOS-5 | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) @ TC=25C | 100 A (package-limited) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 400 A | 1200 A (per datasheet, typical) |
| RDS(on) max @ VGS=10V | 4 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg value] | — |
| Maximum Power Dissipation (PD) | 167 W @ TC=25C | — |
| Thermal Resistance, Junction-to-Case (RthJC) | 0.9 K/W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55 °C to +175 °C (TJ) |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (TDSON-8, 5x6 mm) Surface Mount | PG-HSOF-8-1 (8-pin HSOF with drain tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (up to 260C peak reflow) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AEC-Q101 qualified |
| Avalanche Rating | 100% Avalanche tested | — |
| AOI Compatibility | Feasible for Automatic Optical Inspection | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS™-5 80 V |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | 300 A |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.2 mΩ |
| Maximum Power Dissipation (PD, Tc) | — | 375 W |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V |
| RoHS Compliance | — | Compliant |