IAUC120N04S6L005ATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC120N04S6L005ATMA1 द्वारा Infineon और IAUC60N04S6L039ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 - 40V 120A 0.55mΩ N-Channel MOSFET | Infineon
IAUC120N04S6L005ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUC120N04S6L005ATMA1 | IAUC60N04S6L039ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IAUC120N04S6L005ATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET | OptiMOS 6 (trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 120 A (Tj) | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 187 W | — |
| RDS(on) max at VGS=10 V | 0.55 mΩ at 60 A | — |
| RDS(on) max at VGS=4.5 V | 0.85 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±16 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 177 nC at VGS=10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 11.203 nF at 25 V | — |
| Output Capacitance (Coss) | 2.982 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 175 pF | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55C to +175C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) | PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 qualified | AEC-Q101 qualified |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) | — | 60 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | 240 A |
| R_DS(on) max @ V_GS=10V | — | 3.9 milliohm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Q_G) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (P_D) | — | 42 W |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Avalanche Rated | — | Yes (100% avalanche tested) |