IAUC120N04S6L005ATMA1 vs IAUC60N04S6L039ATMA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: IAUC120N04S6L005ATMA1 제조: Infineon 및 IAUC60N04S6L039ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Infineon
IAUC60N04S6L039ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 - 40V 60A OptiMOS 6 MOSFET | Infineon

IAUC60N04S6L039ATMA1 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 IAUC120N04S6L005ATMA1 IAUC60N04S6L039ATMA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 MOSFETs MOSFETs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.92 $0.72
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IAUC120N04S6L005ATMA1 —
Technology OptiMOS 6, N-Channel Trench MOSFET OptiMOS 6 (trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 120 A (Tj) —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: IDM pulse rating] —
Power Dissipation (PD, Tc=25°C) 187 W —
RDS(on) max at VGS=10 V 0.55 mΩ at 60 A —
RDS(on) max at VGS=4.5 V 0.85 mΩ —
Gate-Source Voltage (VGS) ±16 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V —
Total Gate Charge (Qg) 177 nC at VGS=10 V —
Input Capacitance (Ciss) 11.203 nF at 25 V —
Output Capacitance (Coss) 2.982 nF —
Reverse Transfer Capacitance (Crss) 175 pF —
동작 접합 온도 -55 °C to +175 °C -55C to +175C
패키지 PG-TDSON-8-53 (5x6 mm) PG-TDSON-8 (SSO8) 5x6 mm
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101 qualified
RoHS 상태 Compliant Compliant
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25C) — 60 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — 240 A
R_DS(on) max @ V_GS=10V — 3.9 milliohm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Power Dissipation (P_D) — 42 W
MSL 레벨 — 1 (per JEDEC J-STD-020)
Avalanche Rated — Yes (100% avalanche tested)

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