IAUC60N10S5L110ATMA1 vs IAUCN04S7N015GATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUC60N10S5L110ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7N015GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 - 100V 11mΩ N-Ch OptiMOS 5 | Infineon

IAUC60N10S5L110ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IAUCN04S7N015GATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 - 40V 165A OptiMOS 7 N-FET | Infineon

IAUCN04S7N015GATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IAUC60N10S5L110ATMA1 IAUCN04S7N015GATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS™-5 —
ट्रांज़िस्टर प्रकार N-Channel MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 100 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>, Tc) 60 A —
Power Dissipation (P<sub>D</sub>, Tc) 88 W —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 11 mΩ —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) 1.2 V —
पैकेज PG-TDSON-8-33 (TDSON-8 Single) PG-THSOG-4-1 (SSO4G 5x6) surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount (IMS-compatible source-down)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: min/max operating temperature] —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) Max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Total Gate Charge (Q<sub>G</sub>) [DATA_NEEDED: Qg at specified Vgs] —
Avalanche Energy (E<sub>AS</sub>) [DATA_NEEDED: single-pulse avalanche energy] —
Lead-Free / RoHS Yes (RoHS compliant per LCSC listing) —
Packing Code ATMA1 (Tape & Reel) —
MSL स्तर 1 (per LCSC datasheet snippet) 1 (per JEDEC J-STD-020)
हैलोजन फ्री Yes (per Infineon product classification) —
Customer Info / FGR J52 (per Infineon product data) —
Product Family — OptiMOS 7
Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (V_DS) — 40 V
Continuous Drain Current (I_D) — 165 A (Tc)
Power Dissipation (P_D) — 96 W (Tc)
R_DS(on) max — 1.53 mΩ at V_GS=10 V
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max]
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical]
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
Total Gate Charge (Q_G) — [DATA_NEEDED: total gate charge]
RoHS स्थिति — Compliant

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