IAUCN04S7L014ATMA1 vs BSC019N04LSTATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN04S7L014ATMA1 द्वारा Infineon और BSC019N04LSTATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN04S7L014ATMA1 | BSC019N04LSTATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Series | OptiMOS 5 40V Automotive | — |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 120 A | — |
| On-Resistance RDS(on) Max | 1.43 mΩ | — |
| गेट थ्रेशोल्ड वोल्टेज | [DATA_NEEDED: Gate threshold voltage] | — |
| Total Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Total gate charge Qg] | — |
| Power Dissipation (Pd) | [DATA_NEEDED: Power dissipation Pd] | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (typical automotive MOSFET range) | -55 C to +150 C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (TDSON EP, 8-pin) | TDSON-8 (SuperSO8) 5x6 mm |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | AEC-Q101 (Automotive) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (unlimited) |
| Configuration | Single N-Channel MOSFET | — |
| Technology | — | OptiMOS 5 (N-channel trench MOSFET) |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) | — | 161 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) | — | 28 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed ID limit] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 1.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | — | 1.7 V |
| Total Gate Charge Qg typ | — | 85 nC |
| Power Dissipation PD (Tc=25C) | — | 94 W |
| Lead-Free / Halogen-Free | — | Yes / Yes |
| Avalanche Rated | — | Yes |