IAUCN08S7L033ATMA1 vs IAUCN08S7L018ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUCN08S7L033ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN08S7L018ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUCN08S7L033ATMA1 | IAUCN08S7L018ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | Automotive OptiMOS 7 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 80 V |
| Maximum On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | 3.3 mΩ | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tj | 130 A | 210 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc=25°C | [DATA_NEEDED: ID at Tc=25C] | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25°C | 118 W | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V (typical Infineon OptiMOS 7 limit) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C (TJ) | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | PG-TDSON-8-34 (SSO8, 5x6 mm²) | PG-TDSON-8-43 (5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Qualification | Automotive Grade (per Infineon datasheet header) | Automotive (per Infineon part description) |
| Technology | OptiMOS 7 trench MOSFET | N-Channel Trench MOSFET |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for this package) | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Product Family | — | OptiMOS 7 |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | [DATA_NEEDED: ID at Tc] |
| Maximum RDS(on) at VGS=10 V | — | 1.8 mΩ |
| Power Dissipation (PD) at Tc=25 °C | — | 169 W |
| Gate Drive Voltage (typical) | — | 10 V |