IAUTN04S7N005ATMA1 vs IAUCN04S7L050HATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IAUTN04S7N005ATMA1 द्वारा Infineon और IAUCN04S7L050HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 - 40V Dual N-Ch OptiMOS 7, 5.04mΩ | Infineon
IAUCN04S7L050HATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IAUTN04S7N005ATMA1 | IAUCN04S7L050HATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS™7 (40 V, Automotive) | — |
| Technology | N-Channel Trench MOSFET | Trench MOSFET, OptiMOS™ 7 40V |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 350 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 0.44 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | ±20 V | ±20 V |
| पावर डिसिपेशन (TC=25°C) | 218 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | PG-HSOF-8-8 (TOLL) 10 × 12 mm | PG-TDSON-8-57 (SuperSO8 half-bridge) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Configuration | Single N-Channel | Dual N-Channel (Dual Drain, Half-Bridge) |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 (family-level, automotive grade) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL level per JEDEC J-STD-020] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Gate Charge (Qg typ.) | [DATA_NEEDED: Qg at VGS=10V] | — |
| Total Gate Charge Figure of Merit (FOM) | [DATA_NEEDED: FOM = RDS(on) × Qg] | — |
| Series | — | OptiMOS™ 7 |
| Continuous Drain Current (ID), Tc=25°C | — | 65 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | — | 5.04 mΩ |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Power Dissipation (PD) @ Tc=25°C | — | 40 W |