IPB021N10NM5LF2ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB021N10NM5LF2ATMA1 द्वारा Infineon और IPT015N10NF2SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ सक्रिय
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB021N10NM5LF2ATMA1 | IPT015N10NF2SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS 5 Linear FET 2 | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C | 176 A | — |
| Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C | 30 A | — |
| R_DS(on) Maximum | 2.1 mΩ | — |
| Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum | ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] | — |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C | 375 W | — |
| Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C | 3.8 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] | -55 °C to +175 °C |
| पैकेज | PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) | PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) | 10 V, 15 V | — |
| Technology | OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) | OptiMOS trench, N-channel enhancement |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 315 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 35 A |
| On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V | — | 1.5 mΩ |
| Gate-Source Threshold (VGS(th)) | — | 3.8 V at 267 µA |
| Total Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Total Power Dissipation (Tc) | — | 300 W |
| Gate Drive Voltage (typ) | — | 10 V |
| सिंगल पल्स एवलांच एनर्जी | — | [DATA_NEEDED: EAS value] |