IPB021N10NM5LF2ATMA1 vs IPT015N10NF2SATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB021N10NM5LF2ATMA1 מאת Infineon ו IPT015N10NF2SATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 - 100V 2.1mΩ Linear FET MOSFET | Infineon

IPB021N10NM5LF2ATMA1 ✓ פעיל
Infineon
IPT015N10NF2SATMA1 IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 - 100V 315A 1.5mΩ OptiMOS MOSFET | Infineon

IPT015N10NF2SATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IPB021N10NM5LF2ATMA1 IPT015N10NF2SATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS 5 Linear FET 2 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (V_DS) 100 V —
Continuous Drain Current (I_D) at T_C=25°C 176 A —
Continuous Drain Current (I_D) at T_A=25°C 30 A —
R_DS(on) Maximum 2.1 mΩ —
Gate-Source Voltage (V_GS) Maximum ±20 V [DATA_NEEDED: absolute max rated V_GS] —
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical/min] —
Power Dissipation (P_D) at T_C=25°C 375 W —
Power Dissipation (P_D) at T_A=25°C 3.8 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +175°C [DATA_NEEDED: confirm from datasheet operating junction range] -55 °C to +175 °C
מארז PG-TO263-3-2 (D2PAK, surface mount, 3 pins + tab) PG-HSOF-8-10 (9-pin, 8+tab)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Drive Voltage (Max R_DS(on), Min R_DS(on)) 10 V, 15 V —
Technology OptiMOS 5 trench-gate MOSFET (Linear FET optimized) OptiMOS trench, N-channel enhancement
סטטוס RoHS Compliant Compliant
רמת MSL [DATA_NEEDED: confirm MSL rating from manufacturer datasheet] —
FET Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 100 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 315 A
Continuous Drain Current (ID, Ta) — 35 A
On-Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.5 mΩ
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.8 V at 267 µA
Total Power Dissipation (Ta) — 3.8 W
Total Power Dissipation (Tc) — 300 W
Gate Drive Voltage (typ) — 10 V
אנרגיית מפולת בפולס בודד — [DATA_NEEDED: EAS value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר