IPB038N12N3GATMA1 vs IPB027N10N3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB038N12N3GATMA1 द्वारा Infineon और IPB027N10N3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB038N12N3GATMA1 | IPB027N10N3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 120V | — |
| FET Type | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | 120 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) @ Tc | 120 A | — |
| Power Dissipation (Pd) @ Tc | 300 W | — |
| On-State Resistance (Rds(on)) | 3.8 mOhm (typical) | — |
| पैकेज / केस | PG-TO263-3 (D2PAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Technology | OptiMOS trench MOSFET | OptiMOS 3 (Trench MOSFET) |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (junction) | -55°C to +175°C (TJ) |
| Standard Package Quantity | 1000 (Tape & Reel) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Avalanche Rated | Yes | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | — | 120 A |
| Power Dissipation (PD) at TC=25°C | — | 300 W |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.4 mΩ |
| On-Resistance RDS(on) typical at VGS=10V | — | 2.7 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical and min/max VGS(th) values] |
| पैकेज | — | PG-TO263-3 (D2PAK) |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RθJC) | — | [DATA_NEEDED: exact °C/W value] |
| Single Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | [DATA_NEEDED: datasheet EAS figure] |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Total Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: typical Qg at VGS=10V] |