IPB17N25S3100ATMA1 vs BSC039N06NSATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPB17N25S3100ATMA1 द्वारा Infineon और BSC039N06NSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPB17N25S3100ATMA1 | BSC039N06NSATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPB17N25S3100ATMA1 | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 250 V | 60 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 17 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | 64 A | [DATA_NEEDED: IDM pulsed value at TC] |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 100 mOhm max @ VGS = 10 V | — |
| Typical RDS(on) | 19.3 mOhm (manufacturer trench-technology figure, per datasheet collateral) | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 4 V | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 19 nC @ VGS = 10 V | — |
| Input Capacitance (Ciss) | 1.5 nF | — |
| Output Capacitance (Coss) | 23 pF | — |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | 625 pF | — |
| Power Dissipation (PD) | 107 W at Tc = 25 C | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C | — |
| पैकेज | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) | PG-TDSON-8-6 (TDSON EP, 5x6 mm) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | MSL1 (up to 260 C peak reflow) | — |
| AEC-Q101 Qualification | Qualified (automotive grade) | — |
| Avalanche Rated | 100% avalanche tested | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | Compliant |
| Series | — | OptiMOS 5 |
| Continuous Drain Current (ID) at TA | — | 19 A |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 100 A |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=10V | — | 3.9 mOhm |
| On-Resistance RDS(on) max at VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5V] |
| Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical and min/max] |
| Power Dissipation at TA (PD) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation at TC (PD) | — | 69 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +150C |
| पिन की संख्या | — | 8 |
| Gate Drive Voltage (VGS) | — | ±20 V max |
| Technology | — | OptiMOS 5 (TrenchFET-style) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |