IPD042P03L3GATMA1 vs IPD060N03LGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD042P03L3GATMA1 द्वारा Infineon और IPD060N03LGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD042P03L3GATMA1 IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 - 30V P-Ch 4.2mΩ 70A MOSFET | Infineon

IPD042P03L3GATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD060N03LGATMA1 IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 - 30V 50A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD060N03LGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD042P03L3GATMA1 IPD060N03LGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) -70 A —
Pulsed Drain Current (IDM) -280 A —
RDS(on) max @ VGS = -10 V 4.2 mΩ —
RDS(on) max @ VGS = -4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) -1.5 V (typ) —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) 150 W —
Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) 290 mJ —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +175°C (TJ) —
पैकेज PG-TO252-3 (DPAK) —
Technology OptiMOS™ P (Trench) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर 1 1 (Unlimited)
Manufacturer — Infineon Technologies
Product Family — OptiMOS 30V
Polarity / Channel Type — N-Channel
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) — 200 A
Gate-Source Voltage (VGS) — +/-20 V
Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) — 1.7 V
On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) — 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max)
On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Total Gate Charge (Qg, typ) — 21 nC
Output Charge (Qoss, typ) — [DATA_NEEDED: Qoss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
Power Dissipation (PD, TC=25C) — 56 W
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान — -55C to +175C
Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) — 2.5 C/W
Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) — 62 C/W
पैकेज / केस — PG-TO252-3 (DPAK)
Lead-Free / Halogen-Free — Yes / Yes
Packing — Tape & Reel (T/R), 2500 per reel
AEC-Q101 / Automotive Grade — Not qualified
Technology / Generation — OptiMOS 30V, trench MOSFET

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