IPD053N06NATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD053N06NATMA1 द्वारा Infineon और IAUC60N04S6L030HATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD053N06NATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS 5 60V | — |
| Transistor Polarity | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 40 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/- 20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 45 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | 18 A | — |
| On-State Resistance (RDS(on), max) | 5.3 mOhm @ VGS=10V | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet] | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Technology | OptiMOS 5 trench MOSFET | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Configuration | — | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |
| MSL स्तर | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |