IPD053N06NATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPD053N06NATMA1 tarafından Infineon ve IAUC60N04S6L030HATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre IPD053N06NATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS 5 60V —
Transistor Polarity N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 40 V
Gate-Source Voltage (VGS) +/- 20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc) 45 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta) 18 A —
On-State Resistance (RDS(on), max) 5.3 mOhm @ VGS=10V —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Paket PG-TO252-3 (DPAK-2), Surface Mount PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55C to +175C (Tj) [DATA_NEEDED: precise operating range min/max from datasheet] —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Technology OptiMOS 5 trench MOSFET —
Part Series — OptiMOS 6
Configuration — Half-Bridge (2 N-Channel)
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
İşletim Jant Sıcaklığı — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)
MSL Seviyesi — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin