IPD060N03LGATMA1 vs IPD042P03L3GATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD060N03LGATMA1 द्वारा Infineon और IPD042P03L3GATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD060N03LGATMA1 | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) | 200 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.7 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) | 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | 21 nC | — |
| Output Charge (Qoss, typ) | [DATA_NEEDED: Qoss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 56 W | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55C to +175C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) | 2.5 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) | 62 C/W | — |
| पैकेज / केस | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (Unlimited) | 1 |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R), 2500 per reel | — |
| AEC-Q101 / Automotive Grade | Not qualified | — |
| Technology / Generation | OptiMOS 30V, trench MOSFET | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -280 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| पैकेज | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Technology | — | OptiMOS™ P (Trench) |