IPD060N03LGATMA1 vs IPD042P03L3GATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPD060N03LGATMA1 מאת Infineon ו IPD042P03L3GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPD060N03LGATMA1 | IPD042P03L3GATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Product Family | OptiMOS 30V | — |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 30 V | -30 V |
| Continuous Drain Current (ID, TC=25C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM, TC=25C, tp<=10us) | 200 A | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | 1.7 V | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=10V) | 6.0 mOhm (typ) / 7.5 mOhm (max) | — |
| On-State Resistance (RDS(on), VGS=4.5V) | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] | — |
| Total Gate Charge (Qg, typ) | 21 nC | — |
| Output Charge (Qoss, typ) | [DATA_NEEDED: Qoss] | — |
| Reverse Recovery Charge (Qrr) | [DATA_NEEDED: Qrr] | — |
| Power Dissipation (PD, TC=25C) | 56 W | — |
| טמפרטורת צומת פעולה | -55C to +175C | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Case (RthJC, max) | 2.5 C/W | — |
| Thermal Resistance Junction-to-Ambient (RthJA, max, std PCB) | 62 C/W | — |
| מארז / Case | PG-TO252-3 (DPAK) | — |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| רמת MSL | 1 (Unlimited) | 1 |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free / Halogen-Free | Yes / Yes | — |
| Packing | Tape & Reel (T/R), 2500 per reel | — |
| AEC-Q101 / Automotive Grade | Not qualified | — |
| Technology / Generation | OptiMOS 30V, trench MOSFET | — |
| Polarity | — | P-Channel |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | — | -70 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | -280 A |
| RDS(on) max @ VGS = -10 V | — | 4.2 mΩ |
| RDS(on) max @ VGS = -4.5 V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) @ -4.5 V] |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | -1.5 V (typ) |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: total gate charge] |
| Total Power Dissipation (PD @ Tc=25°C) | — | 150 W |
| Single-Pulse Avalanche Energy (EAS) | — | 290 mJ |
| טווח טמפרטורת פעולה | — | -55°C to +175°C (TJ) |
| מארז | — | PG-TO252-3 (DPAK) |
| Technology | — | OptiMOS™ P (Trench) |