IPD380P06NMATMA1 vs IPD90N06S407ATMA2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD380P06NMATMA1 द्वारा Infineon और IPD90N06S407ATMA2 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPD380P06NMATMA1 | IPD90N06S407ATMA2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Polarity / Channel Type | P-Channel | — |
| Drain-Source Voltage V(BR)DSS | 60 V | — |
| कंटीन्यूअस ड्रेन करंट (TC=25°C) | 35 A | — |
| Power Dissipation (Tc) | 125 W | — |
| Technology | OptiMOS P-channel trench | — |
| पैकेज | PG-TO252-3 (DPAK), surface mount | PG-TO252-3-11 (DPAK) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +150 C (junction) | — |
| Gate Drive | Logic-level compatible | — |
| Avalanche Rated | Yes (per manufacturer datasheet) | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | — |
| MSL स्तर | 1 | — |
| Target Applications | Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Automotive Qualified | Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] | — |
| FET Type | — | N-Channel Enhancement Mode |
| Drain-to-Source Voltage (V_DS) | — | 60 V |
| Continuous Drain Current (I_D at T_C) | — | 90 A |
| Pulsed Drain Current (I_DM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A | — | 6.9 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) | — | 4 V at 40 uA |
| Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V | — | 56 nC |
| Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) | — | 79 W |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 C to +175 C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range] |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Green Product) |
| MSL (Moisture Sensitivity Level) | — | MSL1 (up to 260 C peak reflow) |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 Qualified |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |