IPD380P06NMATMA1 vs IPD90N06S407ATMA2 比較

詳細な並列比較: IPD380P06NMATMA1 メーカー: Infineon および IPD90N06S407ATMA2 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IPD380P06NMATMA1 IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 - 60V P-Ch MOSFET 35A OptiMOS | Infineon

IPD380P06NMATMA1 ✓ 生産中
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IPD90N06S407ATMA2 IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 - 60V 90A N-Ch MOSFET | Infineon

IPD90N06S407ATMA2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IPD380P06NMATMA1 IPD90N06S407ATMA2
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.49 $0.84
Polarity / Channel Type P-Channel —
Drain-Source Voltage V(BR)DSS 60 V —
連続ドレイン電流(TC=25°C) 35 A —
Power Dissipation (Tc) 125 W —
Technology OptiMOS P-channel trench —
パッケージ PG-TO252-3 (DPAK), surface mount PG-TO252-3-11 (DPAK)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度範囲 -55 C to +150 C (junction) —
Gate Drive Logic-level compatible —
Avalanche Rated Yes (per manufacturer datasheet) —
RoHS ステータス Compliant —
MSLレベル 1 —
Target Applications Reverse-polarity protection, load switch, BMS, high-side switch —
Lead-Free Yes —
Automotive Qualified Not specified in provided data [DATA_NEEDED: AEC-Q100 grade] —
FET Type — N-Channel Enhancement Mode
Drain-to-Source Voltage (V_DS) — 60 V
Continuous Drain Current (I_D at T_C) — 90 A
Pulsed Drain Current (I_DM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
R_DS(on) Max at V_GS=10 V, I_D=90 A — 6.9 mOhm
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — 4 V at 40 uA
Total Gate Charge (Q_G) at V_GS=10 V — 56 nC
Maximum Power Dissipation (P_D at T_C) — 79 W
動作接合温度 — -55 C to +175 C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Lead-Free / RoHS — Yes (Green Product)
MSL (Moisture Sensitivity Level) — MSL1 (up to 260 C peak reflow)
Automotive Qualification — AEC-Q101 Qualified
Avalanche Rating — 100% Avalanche Tested

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