IPD90N03S4L02ATMA1 vs IPD090N03LGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPD90N03S4L02ATMA1 द्वारा Infineon और IPD090N03LGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IPD90N03S4L02ATMA1 IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N03S4L02ATMA1 - 30V 90A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon

IPD90N03S4L02ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IPD090N03LGATMA1 IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 - 30V 40A OptiMOS N-Ch MOSFET | Infineon

IPD090N03LGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IPD90N03S4L02ATMA1 IPD090N03LGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide), OptiMOS-T2 trench —
Drain-to-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Power Dissipation (PD) at Tc 136 W —
RDS(on) Max at VGS=10 V 2.2 mΩ —
RDS(on) Max at VGS=4.5 V [DATA_NEEDED: typical value at VGS=4.5 V] —
Gate Drive Voltage (VGS) 4.5 V to 10 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical value] —
ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान -55°C to +175°C —
Avalanche Rated 100% Avalanche tested —
पैकेज PG-TO252-3-11 (DPAK, surface mount) PG-TO252-3-11 (DPAK)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
MSL स्तर MSL1 (per JEDEC J-STD-020, up to 260°C peak reflow) 1 (unlimited)
RoHS स्थिति Compliant (Green Package) Compliant
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified —
Series OptiMOS-T2 —
Drain-Source Voltage (Vdss) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=25C — 40 A
Continuous Drain Current (Id) @ Tc=100C — [DATA_NEEDED: Id at 100C]
Pulsed Drain Current (Idm) — [DATA_NEEDED: pulsed Id]
Maximum Power Dissipation (Pd) @ Tc=25C — 42 W
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=10V, Id=30A — 9 mOhm (typical)
On-State Resistance (Rds(on)) @ Vgs=4.5V — [DATA_NEEDED: Rds(on) at 4.5V]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical]
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg total]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Reverse Recovery Charge (Qrr) — [DATA_NEEDED: Qrr]
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55C to +175C (junction)
Technology Family — OptiMOS 30V
Configuration — Single

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