IPG20N10S4L35ATMA1 vs IPG20N06S2L65ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPG20N10S4L35ATMA1 द्वारा Infineon और IPG20N06S2L65ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPG20N10S4L35ATMA1 | IPG20N06S2L65ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPG20N10S4L35ATMA1 | — |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) | Dual N-Channel, Logic Level |
| FET Feature | Logic Level Gate | — |
| Drain-to-Source Voltage (V<sub>DSS</sub>) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) at 25°C | 20 A | — |
| R<sub>DS(on)</sub> Max | 35 mΩ @ V<sub>GS</sub>=10 V, I<sub>D</sub>=17 A | — |
| Gate Threshold (V<sub>GS(th)</sub>) | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th) value] | — |
| Power Dissipation (P<sub>D</sub>) | 43 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | 175°C max junction | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| पैकेज / केस | PG-TDSON-8-4 (8-Pin TDSON EP) | — |
| Automotive Qualification | AEC-Q101 | AEC-Q101 Qualified |
| MSL स्तर | MSL1 (up to 260°C peak reflow) | MSL1 (260°C peak reflow) |
| Series | OptiMOS™, Automotive | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (Green Product) | — |
| Avalanche Rated | 100% Avalanche Tested | — |
| Technology | — | OptiMOS-T2 (Planar Trench 55V) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 55 V |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 20 A per channel |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 65 mΩ typical |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 1.0 V to 2.5 V (logic level) |
| Total Power Dissipation (Ptot) | — | 43 W |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | -55°C to +175°C |
| पैकेज | — | PG-TDSON-8-4 (TDSON-8 EP) |
| Avalanche Rating | — | 100% Avalanche Tested |
| RoHS Compliance | — | RoHS Compliant (Green Product) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TMA1 suffix) |