IPL60R115CFD7AUMA1 vs IPW60R037P7XKSA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPL60R115CFD7AUMA1 द्वारा Infineon और IPW60R037P7XKSA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPL60R115CFD7AUMA1 | IPW60R037P7XKSA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | IPL60R115CFD7AUMA1 | — |
| Series | CoolMOS CFD7 | CoolMOS™ P7 |
| FET Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 22 A | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 115 mOhm (typ, VGS=10V) | — |
| पैकेज / केस | PG-VSON-4 (5x6 mm) with exposed pad | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Through Hole |
| Technology | Superjunction MOSFET (CoolMOS CFD7) | CoolMOS Superjunction (SJ) |
| Integrated Body Diode | Yes - fast body diode (CFD) | — |
| Application | Resonant high-power topologies (LLC, PFC) | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (per distributor listings) | Compliant |
| पिन काउंट | 4 | — |
| Quantity per Reel | [DATA_NEEDED: reel qty] | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET (Superjunction) |
| Drain-Source Voltage (V_DSS) | — | 600 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc=25 °C) | — | 76 A |
| On-Resistance (R_DS(on), max, V_GS=10 V) | — | 37 mΩ |
| Power Dissipation (P_D, Tc=25 °C) | — | 255 W |
| Gate Threshold Voltage (V_GS(th), typ) | — | 3.5 V |
| पैकेज | — | PG-TO247-3 (TO-247-3, through-hole) |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55 °C to +150 °C |
| Orderable Part Number Suffix | — | XKSA1 (tube packaging, industrial) |
| Avalanche Rated | — | Yes |