IPN70R2K0P7SATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IPN70R2K0P7SATMA1 द्वारा Infineon और IPN70R1K4P7SATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IPN70R2K0P7SATMA1 | IPN70R1K4P7SATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 6 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±20 V | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (TJ) |
| पैकेज | PG-SOT223 (3 leads + tab) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated ESD Diode | Yes | — |
| RoHS स्थिति | Compliant (ROHS3) | Compliant |
| MSL स्तर | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Series | — | CoolMOS P7 |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | — | 6.2 W |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| पिन काउंट | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| DPAK Footprint Compatible | — | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) |