IPN70R2K0P7SATMA1 vs IPN70R1K4P7SATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IPN70R2K0P7SATMA1 tarafından Infineon ve IPN70R1K4P7SATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | IPN70R2K0P7SATMA1 | IPN70R1K4P7SATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Family | CoolMOS P7 | — |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel Enhancement Mode | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 700 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 3 A | — |
| Power Dissipation (PD, Tc=25°C) | 6 W | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 2.0 Ω (max, VGS=10 V) | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 3.5 V (typical) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] |
| Gate-Source Voltage (VGS max) | ±20 V | — |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55 °C to +150 °C | -55C to +150C (TJ) |
| Paket | PG-SOT223 (3 leads + tab) | PG-SOT223 (3-pin + tab, surface mount) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated ESD Diode | Yes | — |
| RoHS Durumu | Compliant (ROHS3) | Compliant |
| MSL Seviyesi | 1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Product Series | — | CoolMOS P7 |
| Transistor Türü | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V(BR)DSS) | — | 700 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 4 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Static Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | — | 1.4 ohm class (per '1K4' suffix) |
| Total Power Dissipation (PD) at TC | — | 6.2 W |
| Configuration | — | Single with built-in diode |
| Pin Sayısı | — | 3 (Gate, Drain, Source) |
| DPAK Footprint Compatible | — | Yes (drop-in alternative to DPAK per datasheet) |