IQD009N06NM5SCATMA1 vs IQE036N08NM6CGATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQD009N06NM5SCATMA1 द्वारा Infineon और IQE036N08NM6CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IQD009N06NM5SCATMA1 IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 - 60V 0.9mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

IQD009N06NM5SCATMA1 ✓ सक्रिय
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IQE036N08NM6CGATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 - 80V 118A OptiMOS 6 N-MOSFET | Infineon

IQE036N08NM6CGATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQD009N06NM5SCATMA1 IQE036N08NM6CGATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Series OptiMOS 5 60V (IQD009N06NM5) —
Polarity / Channel Type N-Channel Enhancement Mode —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 42 A —
Pulsed Drain Current (IDM, Tc) 445 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 0.9 mOhm —
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Power Dissipation (Tc) 333 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS abs max, typical +/-20V] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th) value] —
पैकेज PG-WHSON-8-U02 (PQFN 5x6 mm) PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज [DATA_NEEDED: Tj min/max] -55 C to +175 C (junction, Tj)
RoHS स्थिति Compliant Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL classification] MSL1 (per JEDEC J-STD-020)
Tape and Reel Packaging Yes (suffix SCATMA1) —
Product Family — OptiMOS 6
ट्रांज़िस्टर प्रकार — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (Vds) — 80 V
Gate-Source Voltage (Vgs) — [DATA_NEEDED: Vgs max]
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 118 A
Continuous Drain Current (Id) at Ta — 16.7 A
Rds(on) max at Vgs=10V — 3.6 mOhm
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 3.5 V (max)
Power Dissipation at Tc — 125 W
Power Dissipation at Ta — 2.5 W
Technology — Trench MOSFET, OptiMOS 6
Configuration — Single N-channel, Source-Down

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