IQD020N10NM5CGATMA1 vs IQE050N08NM5CGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQD020N10NM5CGATMA1 द्वारा Infineon और IQE050N08NM5CGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 - 100V 2.0mΩ OptiMOS™ 5 N-MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGATMA1 ✓ सक्रियInfineon
IQE050N08NM5CGATMA1 - 80V N-Ch MOSFET 5mΩ Source-Down | Infineon
IQE050N08NM5CGATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQD020N10NM5CGATMA1 | IQE050N08NM5CGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Technology | OptiMOS™ 5 N-channel trench MOSFET | OptiMOS 5 (Source-Down) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 100 V | 80 V |
| Gate-Source Voltage (VGS) | ±20 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C | 26 A | — |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C | [DATA_NEEDED: ID at TC=25°C from datasheet curve] | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) at TC=25°C | 273 A | — |
| Static Drain-Source On-Resistance RDS(on) max | 2.0 mΩ (at VGS=10V) | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 333 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55°C to +175°C | — |
| पैकेज | PG-TTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm²) | PG-TTFN-9-1 (Surface Mount) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating from datasheet] | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Qualification | Industrial grade (Infineon OptiMOS™ 5 family) | — |
| FET Type | — | N-Channel |
| Continuous Drain Current (Ta) | — | 16 A |
| Continuous Drain Current (Tc) | — | 101 A |
| On-Resistance RDS(on) Max | — | 5.0 mΩ |
| Power Dissipation (Ta) | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 100 W |
| Gate Threshold Vgs(th) Typ | — | [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | -55°C to +175°C (TJ max) |
| Total Gate Charge Qg Typ | — | [DATA_NEEDED: total gate charge Qg typical] |