IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 vs IQD020N10NM5CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon और IQD020N10NM5CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 - 100V 276A N-Channel MOSFET | Infineon
IQD020N10NM5CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQDH29NE2LM5CGSCATMA1 | IQD020N10NM5CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| FET Type | N-Channel | — |
| Technology | OptiMOS 5 Power-Transistor | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 25 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (Ta) | 75 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 789 A | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | 3 W |
| Power Dissipation (Tc) | 278 W | 333 W |
| Maximum On-Resistance RDS(on) | 0.29 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) | 2 V (typ) | — |
| पैकेज | PG-WHTFN-9-U02 (WHTFN EP) | PG-WHTFN-9-U02 (PQFN 5x6 mm) with exposed thermal pad |
| पिन काउंट | 9 | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Cooling | Dual-side exposed pad (top + bottom) | — |
| MSL स्तर | [DATA_NEEDED: MSL rating] | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Manufacturer | — | Infineon Technologies |
| Product Family | — | OptiMOS 5 100V (IQD series) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 276 A |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 26 A |
| On-Resistance (RDS(on), max) | — | 2.0 mOhm at VGS = 10 V |
| On-Resistance (RDS(on)) - JLCPCB listing | — | 1.8 mOhm at VGS = 10 V |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th), typ) | — | 3.8 V |
| Gate Charge (Qg, total) | — | 107 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) | — | 7.3 nF |
| Output Capacitance (Coss) | — | 1 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 42 pF |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | — | -55C to +175C |
| Gate Drive Level | — | Logic-level (10 V VGS rated) |