IQE004NE1LM7CGATMA1 vs IQE008N03LM5ATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE004NE1LM7CGATMA1 द्वारा Infineon और IQE008N03LM5ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Infineon
IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 - 15V OptiMOS 7 0.45mOhm N-FET | Infineon

IQE004NE1LM7CGATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQE004NE1LM7CGATMA1 IQE008N03LM5ATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Series OptiMOS 7 —
Technology N-Channel Trench Power MOSFET OptiMOS 5, Source-Down
Drain-Source Voltage (VDS) 15 V —
Continuous Drain Current (ID, TA=25C) 58 A —
Continuous Drain Current (ID, TC=25C) 379 A —
Power Dissipation (TA=25C) 2.1 W —
Power Dissipation (TC=25C) 89 W —
On-Resistance RDS(on) max 0.45 mOhm at VGS=10 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] —
पैकेज PG-TTFN-9-3 (surface mount) PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान -55C to +150C (junction) —
RoHS स्थिति Compliant Compliant (per LCSC listing)
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL rating] [DATA_NEEDED: MSL level]
Packaging Tape & Reel (CGATMA1 suffix) —
Polarization N-Channel —
Product Family — OptiMOS 5
Polarity / Channel Type — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) Max — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C — 27 A
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C — 253 A
On-Resistance RDS(on) Typical — 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet)
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V (at 250 µA per LCSC snippet)
Power Dissipation at TA=25°C — 2.1 W
Power Dissipation at TC=25°C — 89 W
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating)
Gate-Source Voltage (VGS) Max — ±20 V (typical MOSFET rating)

डेटाशीट और संसाधन

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