IQE008N03LM5ATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE008N03LM5ATMA1 द्वारा Infineon और BSC011N03LSATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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IQE008N03LM5ATMA1 IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 - 30V 0.85mΩ OptiMOS 5 N-Ch MOSFET | Infineon

IQE008N03LM5ATMA1 ✓ सक्रिय
Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर IQE008N03LM5ATMA1 BSC011N03LSATMA1
ब्रांड Infineon Infineon
श्रेणी MOSFETs MOSFETs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V)
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
पैकेज PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down PG-TDSON-8-1 (SuperSO8)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55C to +150C
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
RoHS स्थिति Compliant (per LCSC listing) Compliant
MSL स्तर [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Product Series — OptiMOS 30V
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 37 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 100 A (TC)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.1 mOhm (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 96 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W

डेटाशीट और संसाधन

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