IQE008N03LM5ATMA1 vs BSC011N03LSATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IQE008N03LM5ATMA1 بذریعہ Infineon اور BSC011N03LSATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSC011N03LSATMA1 BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 - 30V 100A OptiMOS N-MOSFET | Infineon

BSC011N03LSATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IQE008N03LM5ATMA1 BSC011N03LSATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25°C 27 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25°C 253 A —
On-Resistance RDS(on) Typical 0.85 mΩ (at 20 A, VGS=10 V per LCSC datasheet snippet) —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2 V (at 250 µA per LCSC snippet) 1.0 V to 2.2 V (typ 1.6 V)
Power Dissipation at TA=25°C 2.1 W —
Power Dissipation at TC=25°C 89 W —
پیکیج PG-TSON-8-4 (3.3 x 3.3 mm), Source-Down PG-TDSON-8-1 (SuperSO8)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55°C to +150°C (typical MOSFET junction rating) -55C to +150C
Gate-Source Voltage (VGS) Max ±20 V (typical MOSFET rating) —
Technology OptiMOS 5, Source-Down —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per LCSC listing) Compliant
MSL لیول [DATA_NEEDED: MSL level] 1
Product Series — OptiMOS 30V
Polarity — N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) — 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C — 37 A
Pulsed Drain Current (IDM) — 100 A (TC)
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=10V — 1.1 mOhm (typ)
Gate-Source Voltage (VGS) max — +/-20 V
Total Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: total gate charge Qg]
Power Dissipation (PD) at TC=25C — 96 W
Power Dissipation (PD) at TA=25C — 2.5 W

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں