IQE036N08NM6CGATMA1 vs IQE031N08LM6CGSCATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IQE036N08NM6CGATMA1 द्वारा Infineon और IQE031N08LM6CGSCATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
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IQE031N08LM6CGSCATMA1 - 80V OptiMOS 6 N-Ch MOSFET 127A | Infineon
IQE031N08LM6CGSCATMA1 ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | IQE036N08NM6CGATMA1 | IQE031N08LM6CGSCATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 6 | OptiMOS 6 (40 V to 100 V) |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 80 V | — |
| Gate-Source Voltage (Vgs) | [DATA_NEEDED: Vgs max] | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | 118 A | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Ta | 16.7 A | — |
| Rds(on) max at Vgs=10V | 3.6 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.5 V (max) | — |
| Power Dissipation at Tc | 125 W | — |
| Power Dissipation at Ta | 2.5 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 C to +175 C (junction, Tj) | -55 C to +175 C (junction, typical for OptiMOS 6) |
| पैकेज | PG-TTFN-9-3 (Source-Down PQFN, 3.3 x 3.3 mm) | PG-WHTFN-9 (PQFN 3.3x3.3 Source-Down Center-Gate) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | MSL1 (per JEDEC J-STD-020) | 1 (per JEDEC J-STD-020, typical for Infineon PQFN) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Technology | Trench MOSFET, OptiMOS 6 | — |
| Configuration | Single N-channel, Source-Down | — |
| Polarity / Channel Type | — | N-Channel |
| Drain-to-Source Voltage (VDS max) | — | 80 V |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C | — | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | — | 127 A |
| Power Dissipation (PD) at Ta=25C | — | 2.5 W |
| Power Dissipation (PD) at Tc | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=10 V] |
| Gate Drive Level | — | Logic-level |
| Avalanche Tested | — | 100% avalanche tested |
| Lead-Free | — | Yes |